FDS6630A

Výrobca Číslo produktu:

FDS6630A

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDS6630A-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 6.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventár:

43435 Ks Nové Originálne Na Sklade

12978184

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FDS6630A Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Balenie

Bulk

Seriál

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

6.5A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

38mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

3V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

7 nC @ 5 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

460 pF @ 15 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2.5W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-SOIC

Balenie / puzdro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

FDS6630A Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

1,157

Iné mená

FAIFSCFDS6630A

2156-FDS6630AND

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

microchip-technology

MSC400SMA330B4

MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24

fairchild-semiconductor

FCH077N65F-F155

MOSFET N-CH 650V 54A TO247

nexperia

BUK9640-100A/C1,118

BUK9640-100A - N-CHANNEL TRENCHM

vishay-siliconix

SIHA15N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 6A TO220