FDS86540
Výrobca Číslo produktu:

FDS86540

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDS86540-DG

Popis:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 18A (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventár:

Online RFQ
12946838
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDS86540 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
8V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6410 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FDS86540 Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
106
Iné mená
2156-FDS86540
ONSONSFDS86540

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

FDG312P

MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88

fairchild-semiconductor

FDG311N

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88

stmicroelectronics

STE70NM60

MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP

international-rectifier

IRFH7934TRPBF

MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN