FDS9400A
Výrobca Číslo produktu:

FDS9400A

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDS9400A-DG

Popis:

MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 3.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventár:

30048 Ks Nové Originálne Na Sklade
12947099
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDS9400A Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.4A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
130mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
3.5 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
205 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FDS9400A Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
574
Iné mená
2156-FDS9400A
ONSONSFDS9400A

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

FQA9N90-F109

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

renesas-electronics-america

N0301N-T1-AT

N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANS

fairchild-semiconductor

FDPF10N50FT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

international-rectifier

IRF7483MTRPBF

MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET