FDU6682_NL
Výrobca Číslo produktu:

FDU6682_NL

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDU6682_NL-DG

Popis:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 75A (Ta) 1.6W (Ta) Through Hole TO-251 (IPAK)

Inventár:

1078 Ks Nové Originálne Na Sklade
12934798
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDU6682_NL Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
75A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
31 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2400 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.6W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-251 (IPAK)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FDD6682

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
290
Iné mená
FAIFSCFDU6682_NL
2156-FDU6682_NL

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
Not applicable
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

IRFR210BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

RJK0346DPA-WS#J0

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

FDS6692

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

fairchild-semiconductor

IRFR310BTF

N-CHANNEL POWER MOSFET