Výrobca Číslo produktu:
FDU6N25
Product Overview
Výrobca:
Fairchild Semiconductor
Číslo dielu:
FDU6N25-DG
Popis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventár:
17372 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946463
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDU6N25 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
UniFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
250 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I-PAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,211
Iné mená
2156-FDU6N25
FAIFSCFDU6N25
Klasifikácia životného prostredia a exportu
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDMS0346
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
FCPF7N60YDTU
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F-3
IPI45N06S4L08AKSA2
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET