Výrobca Číslo produktu:
FQA12N60
Product Overview
Výrobca:
Fairchild Semiconductor
Číslo dielu:
FQA12N60-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventár:
9750 Ks Nové Originálne Na Sklade
12904316
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
Zzqh
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQA12N60 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Tube
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
700mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1900 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
240W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
189
Iné mená
2156-FQA12N60-FS
FAIFSCFQA12N60
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDU8770
MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
ZXM66P03N8TA
MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
IXFX32N80Q3
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3
