Výrobca Číslo produktu:
FQD1N60CTM
Product Overview
Výrobca:
Fairchild Semiconductor
Číslo dielu:
FQD1N60CTM-DG
Popis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventár:
1490 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946814
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQD1N60CTM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
170 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252 (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,110
Iné mená
FAIFSCFQD1N60CTM
2156-FQD1N60CTM
Klasifikácia životného prostredia a exportu
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDD6688
MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
FDPF5N50NZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
IRF3703PBF
IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW
