Výrobca Číslo produktu:
FQP12N60
Product Overview
Výrobca:
Fairchild Semiconductor
Číslo dielu:
FQP12N60-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 10.5A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
9664 Ks Nové Originálne Na Sklade
13075910
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQP12N60 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Tube
Seriál
QFET®
Balenie
Tube
Stav dielu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
700mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1900 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
180W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
222
Iné mená
FAIFSCFQP12N60
2156-FQP12N60-FS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQI10N60CTU
MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
FQAF19N60
MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF
FQPF6N50
MOSFET N-CH 500V 3.6A TO220F
