FQP6N40C
Výrobca Číslo produktu:

FQP6N40C

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FQP6N40C-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Podrobný popis:
N-Channel 400 V 6A (Tc) 73W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventár:

15675 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946586
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FQP6N40C Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
400 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
625 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
73W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
469
Iné mená
2156-FQP6N40C
FAIFSCFQP6N40C

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

FDMS7660

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

international-rectifier

IRF3709PBF

IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQP5N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

fairchild-semiconductor

FQPF8N80CYDTU

MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3