FQP6N60C
Výrobca Číslo produktu:

FQP6N60C

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FQP6N60C-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventár:

20356 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946638
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FQP6N60C Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
810 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
353
Iné mená
2156-FQP6N60C
FAIFSCFQP6N60C

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

FDMC7570S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDC653N

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

fairchild-semiconductor

FDPF12N50FT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDD8444

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1