FQPF19N10
Výrobca Číslo produktu:

FQPF19N10

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FQPF19N10-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 13.6A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventár:

582 Ks Nové Originálne Na Sklade
12947160
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FQPF19N10 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
100mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
780 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
38W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FQPF19N10 Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1
Iné mená
ONSONSFQPF19N10
2156-FQPF19N10

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
nexperia

OP540/BD/C3,027

OP540/BD - CUSTOM MOSFET

international-rectifier

IRF8304MTRPBF

IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQPF19N20

MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F

international-rectifier

IRF6646TRPBF

IRF6646 - 12V-300V N-CHANNEL POW