Výrobca Číslo produktu:
HUF75333S3
Product Overview
Výrobca:
Fairchild Semiconductor
Číslo dielu:
HUF75333S3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 66A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 66A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventár:
1488 Ks Nové Originálne Na Sklade
12816886
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
HUF75333S3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Tube
Seriál
UltraFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
66A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
16mOhm @ 66A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
85 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1300 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262 (I2PAK)
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
485
Iné mená
2156-HUF75333S3-FS
FAIFSCHUF75333S3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQPF3P20
MOSFET P-CH 200V 2.2A TO220F
FDS6689S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
ECH8411-TL-E
MOSFET N-CH 20V 9A 8ECH