Výrobca Číslo produktu:
HUF75542P3
Product Overview
Výrobca:
Fairchild Semiconductor
Číslo dielu:
HUF75542P3-DG
Popis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 75A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
1690 Ks Nové Originálne Na Sklade
12947233
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
HUF75542P3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
UltraFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
75A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
14mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
180 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2750 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
230W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
173
Iné mená
2156-HUF75542P3
FAIFSCHUF75542P3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDS8876
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
PSMN2R7-30BL,118
NOW NEXPERIA PSMN2R7-30BL - 100A
IRF6795MTRPBF
IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW
