HUF75631S3ST
Výrobca Číslo produktu:

HUF75631S3ST

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

HUF75631S3ST-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 33A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

321 Ks Nové Originálne Na Sklade
12947464
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

HUF75631S3ST Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
33A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
40mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
79 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1220 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
120W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
HUF75631S3ST Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
132
Iné mená
FAIFSCHUF75631S3ST
2156-HUF75631S3ST

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
international-rectifier

IRF7470TRPBF

IRF7470 - 12V-300V N-CHANNEL POW

stmicroelectronics

STL100NH3LL

MOSFET N-CH 30V 100A POWERFLAT

nexperia

PSMN5R3-25MLD,115

PSMN5R3-25MLD - N-CHANNEL 25V, L

nxp-semiconductors

PHP30NQ15T,127

MOSFET N-CH 150V 29A TO220AB