Výrobca Číslo produktu:
ISL9N306AP3
Product Overview
Výrobca:
Fairchild Semiconductor
Číslo dielu:
ISL9N306AP3-DG
Popis:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 125W (Ta) Through Hole TO-220AB
Inventár:
55600 Ks Nové Originálne Na Sklade
12954230
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
ISL9N306AP3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
UltraFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
75A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3400 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
398
Iné mená
FAIFSCISL9N306AP3
2156-ISL9N306AP3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK190A65Z,S4X
MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS
ISL9N308AP3
N-CHANNEL POWER MOSFET
AOT600A60L
MOSFET N-CH 600V 8A TO220
