SSI4N60BTU
Výrobca Číslo produktu:

SSI4N60BTU

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

SSI4N60BTU-DG

Popis:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventár:

50126 Ks Nové Originálne Na Sklade
12938297
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SSI4N60BTU Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
920 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.13W (Ta), 100W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262 (I2PAK)
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
634
Iné mená
2156-SSI4N60BTU
FAIFSCSSI4N60BTU

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
renesas-electronics-america

RJK6026DPP-90#T2F

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

SFU9034TU

P-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

UPA2749UT1A-E2-AY

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

NP36N055HLE-AY

N-CHANNEL POWER MOSFET