Výrobca Číslo produktu:
GPI65005DF
Product Overview
Výrobca:
GaNPower
Číslo dielu:
GPI65005DF-DG
Popis:
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 5A Surface Mount Die
Inventár:
167 Ks Nové Originálne Na Sklade
12972698
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
GPI65005DF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
GaNPower
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
GaNFET (Gallium Nitride)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5A
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.4V @ 1.75mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
2.6 nC @ 6 V
Vgs (max.)
+7.5V, -12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
45 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
-
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
Die
Balenie / puzdro
Die
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Iné mená
4025-GPI65005DFTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
Not applicable
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Vendor Undefined
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PJD2NA90_L2_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
PJF12NA60_T0_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
FDP075N15A-F032
MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
