Výrobca Číslo produktu:
G3R60MT07D
Product Overview
Výrobca:
GeneSiC Semiconductor
Číslo dielu:
G3R60MT07D-DG
Popis:
750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Podrobný popis:
750 V Through Hole TO-247-3
Inventár:
2888 Ks Nové Originálne Na Sklade
12958893
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
G3R60MT07D Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
GeneSiC Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
G3R™
Stav produktu
Active
Typ FET
-
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
750 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
-
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
-
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max.) @ Id
-
Vgs (max.)
+20V, -10V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
-
Prevádzková teplota
-
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247-3
Balenie / puzdro
TO-247-3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
1242-G3R60MT07D
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQJ126EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
MCU60N08-TP
MOSFET N-CH
2N7002K
MOSFET SOT-23 N Channel 60V
