Výrobca Číslo produktu:
G3R75MT12J
Product Overview
Výrobca:
GeneSiC Semiconductor
Číslo dielu:
G3R75MT12J-DG
Popis:
SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 42A (Tc) 224W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventár:
4 Ks Nové Originálne Na Sklade
12945377
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
G3R75MT12J Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
GeneSiC Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
G3R™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
42A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
15V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
90mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.69V @ 7.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
54 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±15V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1560 pF @ 800 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
224W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263-7
Balenie / puzdro
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Základné číslo produktu
G3R75
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
1242-G3R75MT12J
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
G3R75MT12J-TR
VÝROBCA
GeneSiC Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2863
ČÍSLO DIELU
G3R75MT12J-TR-DG
CENA ZA JEDNOTKU
7.59
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
G3R40MT12J
SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
G3R20MT17K
SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
G3R45MT17D
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3