Výrobca Číslo produktu:
25P06
Product Overview
Výrobca:
Goford Semiconductor
Číslo dielu:
25P06-DG
Popis:
P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 25A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventár:
4383 Ks Nové Originálne Na Sklade
12997556
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
25P06 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Goford Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
32mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3384 pF @ 30 V
Funkcia FET
Standard
Stratový výkon (max.)
100W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
4822-25P06TR
3141-25P06TR
3141-25P06DKR
3141-25P06CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AOTL66810
DESC: MOSFET N-CH 80V 65A TOLLA
PJMF130N65EC_T0_00001
650V SUPER JUNCITON MOSFET
FDS9435A-NBAD008
-30V P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFE
