Výrobca Číslo produktu:
60N06
Product Overview
Výrobca:
Goford Semiconductor
Číslo dielu:
60N06-DG
Popis:
N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventár:
2233 Ks Nové Originálne Na Sklade
13000441
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
60N06 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Goford Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
17mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2050 pF @ 30 V
Funkcia FET
Standard
Stratový výkon (max.)
69W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252 (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
3141-60N06DKR
3141-60N06CT
3141-60N06TR
4822-60N06TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
G6P06
P60V,RD(MAX)<96M@-10V,RD(MAX)<14
DMTH4014LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
TSM80N950CH
800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER
