Výrobca Číslo produktu:
G02P06
Product Overview
Výrobca:
Goford Semiconductor
Číslo dielu:
G02P06-DG
Popis:
P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 1.6A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SOT-23
Inventár:
6834 Ks Nové Originálne Na Sklade
12986628
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
G02P06 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Goford Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
190mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
573 pF @ 30 V
Funkcia FET
Standard
Stratový výkon (max.)
1.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
3141-G02P06CT
4822-G02P06TR
3141-G02P06DKR
3141-G02P06TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
C3M0120065J
650V 120M SIC MOSFET
SQJA82EP-T1_BE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
FDC6N50NZFTM
FDC6N50NZFTM
