Výrobca Číslo produktu:
G040P04T
Product Overview
Výrobca:
Goford Semiconductor
Číslo dielu:
G040P04T-DG
Popis:
MOSFET P-CH 40V 222A TO-220
Podrobný popis:
P-Channel 40 V 222A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
40 Ks Nové Originálne Na Sklade
12944850
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
G040P04T Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Goford Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
222A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
15087 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
312W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
3141-G040P04T
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
GT180P08T
MOSFET P-CH 80V 89A TO-220
DI030N03D1
MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C
MMFTN3018W
MOSFET, SOT-323, 60V, 0.1A, N, 0
