Výrobca Číslo produktu:
G04P10HE
Product Overview
Výrobca:
Goford Semiconductor
Číslo dielu:
G04P10HE-DG
Popis:
P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 4A (Tc) 1.2W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventár:
9479 Ks Nové Originálne Na Sklade
13001667
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
G04P10HE Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Goford Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
200mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.8V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1647 pF @ 50 V
Funkcia FET
Standard
Stratový výkon (max.)
1.2W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-223
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
3141-G04P10HETR
4822-G04P10HETR
3141-G04P10HECT
3141-G04P10HEDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IQE065N10NM5SCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
DMP3096LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
NVBLS0D5N04CTXGAW
MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
