Výrobca Číslo produktu:
G080P06T
Product Overview
Výrobca:
Goford Semiconductor
Číslo dielu:
G080P06T-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
Podrobný popis:
P-Channel 195A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
10000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12994061
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
G080P06T Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Goford Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
195A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
Standard
Stratový výkon (max.)
294W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
4822-G080P06T
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDBL86066-F085AW
MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
IMT65R048M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
ICE15N73FP
Superjunction MOSFET
