Výrobca Číslo produktu:
G10N03S
Product Overview
Výrobca:
Goford Semiconductor
Číslo dielu:
G10N03S-DG
Popis:
N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<16M
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 10A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventár:
3730 Ks Nové Originálne Na Sklade
13000403
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
G10N03S Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Goford Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
839 pF @ 15 V
Funkcia FET
Standard
Stratový výkon (max.)
2.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOP
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
3141-G10N03SCT
3141-G10N03STR
3141-G10N03SDKR
4822-G10N03STR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PSMP075N15NS1_T0_00601
150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
SI2323DS-T1-BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
IRLR110TRPBF-BE3
N-CHANNEL 100V