G15P04K
Výrobca Číslo produktu:

G15P04K

Product Overview

Výrobca:

Goford Semiconductor

Číslo dielu:

G15P04K-DG

Popis:

MOSFET P-CH 40V 15A TO-252
Podrobný popis:
P-Channel 15A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventár:

5000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12986666
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

G15P04K Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Goford Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
39mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
Standard
Stratový výkon (max.)
50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252 (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
4822-G15P04KTR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
nexperia

PXP011-20QXJ

PXP011-20QX/SOT8002/MLPAK33

vishay-siliconix

SISS5710DN-T1-GE3

N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

vishay-siliconix

SIDR626EP-T1-RE3

N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SISS5708DN-T1-GE3

N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW