G170P03S2

Výrobca Číslo produktu:

G170P03S2

Product Overview

Výrobca:

Goford Semiconductor

Číslo dielu:

G170P03S2-DG

Popis:

MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP

Podrobný popis:

Mosfet Array 30V 9A (Tc) 1.4W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Inventár:

3737 Ks Nové Originálne Na Sklade

12988148

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

G170P03S2 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, FET, MOSFET pole

Výrobca

Goford Semiconductor

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Technológia

-

Konfigurácia

2 P-Channel (Dual)

Funkcia FET

-

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

9A (Tc)

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

25mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

18nC @ 10V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1786pF @ 4.5V

Výkon - Max

1.4W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (Tc)

Typ montáže

Surface Mount

Balenie / puzdro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Balík zariadení dodávateľa

8-SOP

Základné číslo produktu

G170

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

4,000

Iné mená

3141-G170P03S2TR

3141-G170P03S2CT

3141-G170P03S2DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

3 (168 Hours)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

FF1MR12KM1HP

MOSFET

goford-semiconductor

G05N06S2

MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP

IRF40H233ATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON

FF1MR12KM1H

MOSFET