Výrobca Číslo produktu:
G170P06M
Product Overview
Výrobca:
Goford Semiconductor
Číslo dielu:
G170P06M-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 65A TO-263
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 65A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventár:
790 Ks Nové Originálne Na Sklade
13239090
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
G170P06M Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Goford Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
65A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6451 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
130W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
3141-G170P06MDKR
3141-G170P06MTR
3141-G170P06MCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
