Výrobca Číslo produktu:
G28N03D3
Product Overview
Výrobca:
Goford Semiconductor
Číslo dielu:
G28N03D3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Podrobný popis:
N-Channel 28A (Tc) 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
Inventár:
10000 Ks Nové Originálne Na Sklade
13001012
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
G28N03D3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Goford Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
28A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
Standard
Stratový výkon (max.)
23W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-DFN (3.15x3.05)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
4822-G28N03D3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDMT800120DC-22897
FET 120V 4.2 MOHM PQFN88
TSM80N950CP
800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TP65H050G4BS
650 V 34 A GAN FET
