Výrobca Číslo produktu:
G2K8P15S
Product Overview
Výrobca:
Goford Semiconductor
Číslo dielu:
G2K8P15S-DG
Popis:
MOSFET P-CH 150V 2.2A SOP-8
Podrobný popis:
P-Channel 2.2A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventár:
28000 Ks Nové Originálne Na Sklade
13309692
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
G2K8P15S Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Goford Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
310mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOP
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
4822-G2K8P15STR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN3020UFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMTH10H032SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
GCMX040B120S1-E1
SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
