Výrobca Číslo produktu:
G60N10K
Product Overview
Výrobca:
Goford Semiconductor
Číslo dielu:
G60N10K-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 60A TO-252
Podrobný popis:
N-Channel 60A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventár:
12997610
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
G60N10K Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Goford Semiconductor
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
25mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
Standard
Stratový výkon (max.)
56W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
4822-G60N10KTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
G58N06K
MOSFET N-CH 60V 58A TO-252
GT080N08D5
N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0
GT030N08T
N85V,200A,RD<3.0M@10V,VTH2.0V~4.