Výrobca Číslo produktu:
G66
Product Overview
Výrobca:
Goford Semiconductor
Číslo dielu:
G66-DG
Popis:
MOSFET P-CH 16V 5.8A DFN2*2-6L
Podrobný popis:
P-Channel 5.8A (Tc) 1.7W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventár:
13001951
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
G66 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Goford Semiconductor
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
45mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Vgs (max.)
±8V
Funkcia FET
Standard
Stratový výkon (max.)
1.7W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-DFN (2x2)
Balenie / puzdro
6-WDFN Exposed Pad
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
4822-G66TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FCPF360N65S3R0-F154
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F
IPP023N10N5XKSA1
TRENCH >=100V
RS1P090ATTB1
PCH -100V -33A POWER MOSFET: RS1
