Výrobca Číslo produktu:
G900P15M
Product Overview
Výrobca:
Goford Semiconductor
Číslo dielu:
G900P15M-DG
Popis:
P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Podrobný popis:
P-Channel 150 V 60A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventár:
109 Ks Nové Originálne Na Sklade
13002659
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
G900P15M Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Goford Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
80mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4056 pF @ 75 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
100W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
3141-G900P15MTR
3141-G900P15MDKR
3141-G900P15MCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
EPC7003AC
GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB
DMN2710UFB-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
SSM6K824R,LF
N-CH MOSFET 20V, +/-8V, 6A ,0.03
