GT060N04T
Výrobca Číslo produktu:

GT060N04T

Product Overview

Výrobca:

Goford Semiconductor

Číslo dielu:

GT060N04T-DG

Popis:

MOSFET N-CH 40 60A TO-220
Podrobný popis:
N-Channel 60A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220

Inventár:

5000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12988815
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

GT060N04T Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Goford Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
SGT
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.3V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
Standard
Stratový výkon (max.)
48W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,000
Iné mená
4822-GT060N04T

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
comchip-technology

CEH2315-HF

MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP

utd-semiconductor

50N06

TO-252 MOSFETS ROHS

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCP8011,LF

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-

infineon-technologies

IMT65R163M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET