GT090N06S

Výrobca Číslo produktu:

GT090N06S

Product Overview

Výrobca:

Goford Semiconductor

Číslo dielu:

GT090N06S-DG

Popis:

N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V,

Podrobný popis:

N-Channel 60 V 14A (Tc) 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Inventár:

Online RFQ

13004408

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

GT090N06S Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Goford Semiconductor

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

60 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

14A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

8mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

24 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1378 pF @ 30 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

3.1W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-SOP

Balenie / puzdro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

4,000

Iné mená

3141-GT090N06STR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

RoHS Compliant

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0000

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

good-ark-semiconductor

GSFC0603

MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -60V,

AUIRFR8403TRLARMA1

MOSFET_(20V 40V)

IPB180P04P4L02AUMA2

MOSFET

good-ark-semiconductor

SSF1341

MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.5A, -12