Výrobca Číslo produktu:
GSFU9006
Product Overview
Výrobca:
Good-Ark Semiconductor
Číslo dielu:
GSFU9006-DG
Popis:
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 900V,7
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 6A (Tj) 32W (Tj) Through Hole TO-220F
Inventár:
980 Ks Nové Originálne Na Sklade
13229429
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
n430
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
GSFU9006 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Good Ark Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Balenie
Tube
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
900 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Tj)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
750mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.9V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1250 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
32W (Tj)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
4786-GSFU9006
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
GSFH9506
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 950V,
SSFP4960
MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 4
C2M0160120D
SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
