SSFU6511
Výrobca Číslo produktu:

SSFU6511

Product Overview

Výrobca:

Good-Ark Semiconductor

Číslo dielu:

SSFU6511-DG

Popis:

MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.5A, 650
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 11.5A (Tc) 32.6W (Tc) Through Hole TO-220F

Inventár:

1000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12999530
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SSFU6511 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Good Ark Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
360mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
870 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
32.6W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
4786-SSFU6511

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
goford-semiconductor

G75P04T

MOSFET, P-CH,-40V,-70A,RD(MAX)<7

goford-semiconductor

G700P06LL

MOSFET, P-CH,-60V,-5A,RD(MAX)<75

vishay-siliconix

SIHFRC20TR-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SIHP12N50E-BE3

N-CHANNEL 500V