IRF543
Výrobca Číslo produktu:

IRF543

Product Overview

Výrobca:

Harris Corporation

Číslo dielu:

IRF543-DG

Popis:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventár:

965 Ks Nové Originálne Na Sklade
12934320
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRF543 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
100mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1450 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
392
Iné mená
2156-IRF543
HARHARIRF543

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

FDS6670S

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

renesas-electronics-america

2SK2111(0)-T1-AZ

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

renesas-electronics-america

2SK2111-D-T1-AZ

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

fairchild-semiconductor

FDI038AN06A0_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET