ICE15N73
Výrobca Číslo produktu:

ICE15N73

Product Overview

Výrobca:

IceMOS Technology

Číslo dielu:

ICE15N73-DG

Popis:

Superjunction MOSFET
Podrobný popis:
N-Channel 730 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220

Inventár:

100 Ks Nové Originálne Na Sklade
13001986
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

ICE15N73 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
IceMOS Technology
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
730 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
350mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2816 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
208W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
5133-ICE15N73

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
goford-semiconductor

G12P10KE

MOSFET P-CH ESD 100V 12A TO-252

icemos-technology

ICE15N60FP

Superjunction MOSFET

vishay-siliconix

SIHB6N80AE-GE3

E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-

onsemi

NTBG028N170M1

SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER