AUIRF1018E
Výrobca Číslo produktu:

AUIRF1018E

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

AUIRF1018E-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventár:

Online RFQ
12801971
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

AUIRF1018E Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
79A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.4mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2290 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
110W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
AUIRF1018

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
AUIRF1018E-DG
Technické listy
AUIRF1018E

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
SP001519520

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
infineon-technologies

BSZ165N04NSGATMA1

MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON

infineon-technologies

IPP040N06N3GXKSA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3

epc

EPC2051

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

epc

EPC2020

GANFET N-CH 60V 90A DIE