Výrobca Číslo produktu:
AUIRF3315S
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
AUIRF3315S-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 21A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventár:
12798364
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
AUIRF3315S Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
82mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1300 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 94W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
D2PAK
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SP001520202
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSS670S2LH6433XTMA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
AUIRF7665S2TR
MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
AUIRF1018ES
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
