Výrobca Číslo produktu:
AUIRF9Z34N
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
AUIRF9Z34N-DG
Popis:
MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Podrobný popis:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12802996
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
AUIRF9Z34N Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
100mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
620 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
68W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
2166-AUIRF9Z34N-448
SP001521042
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF9Z34NPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
78565
ČÍSLO DIELU
IRF9Z34NPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.32
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
IRF9Z34PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1262
ČÍSLO DIELU
IRF9Z34PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.69
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFZ34NSTRR
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
IRFR4104TRL
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IPD042P03L3GBTMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
