Výrobca Číslo produktu:
AUIRFR2307Z
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
AUIRFR2307Z-DG
Popis:
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 75 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventár:
12829234
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
AUIRFR2307Z Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
75 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
42A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
16mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2190 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
110W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SP001522814
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPD50N08S413ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4608
ČÍSLO DIELU
IPD50N08S413ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.54
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BST82,215
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
PMV42ENER
MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
PSMN3R5-40YSDX
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
