Výrobca Číslo produktu:
AUIRFS8403
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
AUIRFS8403-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 123A (Tc) 99W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventár:
12829115
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
AUIRFS8403 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
123A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.9V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3183 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
99W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SP001518060
IRAUIRFS8403
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPB80N04S403ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
911
ČÍSLO DIELU
IPB80N04S403ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.01
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
BUK964R1-40E,118
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
114
ČÍSLO DIELU
BUK964R1-40E,118-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.33
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NX3008NBKVL
MOSFET N-CH 30V 400MA TO236AB
BUK7513-75B,127
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
PSMN2R6-60PSQ
MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB