Výrobca Číslo produktu:
AUIRFU8401
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
AUIRFU8401-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK
Inventár:
12798659
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
AUIRFU8401 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.25mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.9V @ 500µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2200 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
79W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
IPAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
AUIRFU8401
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SP001518756
IRAUIRFU8401
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSC018NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
AUIRFN8405TR
MOSFET N-CH 40V 95A PQFN
BSC028N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON