Výrobca Číslo produktu:
BSC009NE2LS5ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSC009NE2LS5ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 41A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventár:
3478 Ks Nové Originálne Na Sklade
12799278
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
wXDO
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSC009NE2LS5ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
41A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
0.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3900 pF @ 12 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-7
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSC009
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSC009NE2LS5ATMA1-DG
SP001212764
BSC009NE2LS5ATMA1TR
BSC009NE2LS5ATMA1CT
BSC009NE2LS5ATMA1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDMS8320LDC
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
41498
ČÍSLO DIELU
FDMS8320LDC-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.55
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSZ019N03LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
BUZ31L H
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
