Výrobca Číslo produktu:
BSC010N04LSIATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSC010N04LSIATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 37A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Inventár:
9226 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801749
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSC010N04LSIATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
37A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.05mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6200 pF @ 20 V
Funkcia FET
Schottky Diode (Body)
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8 FL
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSC010
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
INFINFBSC010N04LSIATMA1
SP000953210
BSC010N04LSIATMA1DKR
BSC010N04LSIATMA1CT
BSC010N04LSIATMA1TR
BSC010N04LSIATMA1-DG
2156-BSC010N04LSIATMA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPA60R180P7XKSA1
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
AUIRLS3036TRL
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
IPD60R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
