Výrobca Číslo produktu:
BSC010NE2LSATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSC010NE2LSATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 39A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventár:
19280 Ks Nové Originálne Na Sklade
12802025
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSC010NE2LSATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
39A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4700 pF @ 12 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-7
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSC010
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSC010NE2LSCT-DG
BSC010NE2LS-DG
BSC010NE2LSATMA1TR
BSC010NE2LSDKR
BSC010NE2LS
BSC010NE2LSCT
BSC010NE2LSTR-DG
SP000776124
BSC010NE2LSATMA1CT
BSC010NE2LSATMA1DKR
BSC010NE2LSDKR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSS159NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
CSD17579Q3A
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
AUIRF2805
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
