Výrobca Číslo produktu:
BSC014NE2LSIATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSC014NE2LSIATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 33A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventár:
18735 Ks Nové Originálne Na Sklade
12799018
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSC014NE2LSIATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
33A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2700 pF @ 12 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-7
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSC014
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSC014NE2LSIATMA1TR
BSC014NE2LSIDKR
BSC014NE2LSICT-DG
BSC014NE2LSITR-DG
SP000911336
BSC014NE2LSI-DG
INFINFBSC014NE2LSIATMA1
BSC014NE2LSI
BSC014NE2LSIATMA1CT
BSC014NE2LSICT
2156-BSC014NE2LSIATMA1
BSC014NE2LSIDKR-DG
BSC014NE2LSIATMA1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSO303SPNTMA1
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8DSO
BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
BSS7728NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
